中國已采取措施，頒布一項于10 月 1 日生效的法規(guī)，以維護其對半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的稀土材料的國有化。中國對鎵的供應(yīng)占全球一大部分，氮化鎵(GaN) 等寬帶隙半導(dǎo)體材料用于生產(chǎn)先進的電源芯片和射頻放大器。

據(jù)外媒報道，為應(yīng)對中國的出口限制，美國國防部*研究計劃局(DARPA) 已要求雷神公司開發(fā)不依賴中國控制材料的新型半導(dǎo)體，開發(fā)合成金剛石和氮化鋁(AIN) 半導(dǎo)體。GaN 是高功率和高頻半導(dǎo)體的*材料，帶隙為 3.4 eV，而人造金剛石的帶隙約為 5.5 eV，有潛力超越GaN。然而，人造金剛石仍是一種新興的半導(dǎo)體材料，大規(guī)模生產(chǎn)仍面臨許多挑戰(zhàn)，氮化鋁的帶隙更寬，約為6.2 eV。雷神公司旨在為當前和下一代雷達和通信系統(tǒng)開發(fā)金剛石和氮化鋁半導(dǎo)體，包括可集成到高速武器系統(tǒng)中的射頻開關(guān)、限幅器和放大器，然而，雷神公司尚未開發(fā)出合適的半導(dǎo)體。

根據(jù)雷神公司的新聞稿，在合同的*階段，雷神先進技術(shù)團隊將開發(fā)金剛石和氮化鋁半導(dǎo)體薄膜并將其集成到電子設(shè)備上，第二階段將專注于優(yōu)化和完善金剛石和氮化鋁技術(shù)，使其能夠應(yīng)用于更大直徑的晶圓，以用于傳感器應(yīng)用。

雷神公司先進技術(shù)總裁Colin Whelan 在新聞稿中表示：“這是向前邁出的重要一步，將再次徹底改變半導(dǎo)體技術(shù)。”他強調(diào)說：“雷神公司在為國防部系統(tǒng)開發(fā)類似材料（如砷化鎵和氮化鎵）方面擁有豐富的經(jīng)驗，通過利用這一開創(chuàng)性的歷史和我們在先進微電子領(lǐng)域的專業(yè)知識，我們將努力推動這些材料在未來的應(yīng)用�！�